东莞市源林电子科技有限公司

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ZnO压敏电阻器的限压原理：

VSIOV= ZSIOV*VS(Zsource+ZSIOV)，其中VS为浪涌电压，Zsourc为浪涌电压源的阻抗，如传输线的电阻或线圈的电感等，ZSIOV

为ZnO压敏电阻器在某电流下的电阻。浪涌电压源的阻抗往往被低估，因浪涌电流包含许多KHz—MHz的交流成分，其阻抗比低频时大得多。

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ZnO压敏电阻已发明三十多年，世界范围众多科研工作者无论在配方的探讨、优化还是微观形成机理的检测和分析领域都进行卓有成效的工作，摸索了一些适合工业化生产的配方和具体工艺路线。对配方的进行了细致的实验摸索，旨在提高宏观电性能如：通流能力、非线形系数、能量耐受能力和电压梯度等等。如：氧化锌压敏电阻中加入少量稀土氧化物改善电压梯度；研究Sb/Bi比例和氧分压等等对性能影响。德国西门子公司研制的用溶液蒸发分解技术(EDS)制备多组分的ZnO压敏电阻瓷料的新工艺。新兴的纳米材料学给许多交叉学科的发展提供了新的思路和方法，在纳米制备科学中纳米粉体的制备由于其显著的应用前景发展得较快，国内外从事压敏电阻研究的学者，为了获得均匀的前驱粉体，将这种新技术引入氧化锌压敏电阻器制造工艺中，并作了大量的研究工作。在如何提高器件通流能力方面，国内厂家也进行了积极探索，主要集中在二个方面：（l）原材料研究，如：稀土氧化物掺杂、添加MgO、化学均相共沉以及溶盐热分解等。（2）制备工艺探索，搅拌球磨和压滤机等。但相互协作研究相比而言较少，与科研机构合作也不是很多。

源林电子的压敏电阻器广受赞誉，可靠性高、性价比高，具有很强的市场竞争力，想了解更多温度传感器资料，欢迎来电咨询！

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